中国半导体设备制造商Prinano宣布，其首款自主开发的PL-SR系列喷墨步进压印纳米压印光刻系统已成功交付给国内一家特种工艺客户。根据Csmart的报道，该系统已通过检验。该系统能够支持线宽低于10纳米的纳米压印工艺，超越了佳能FPA-1200NZ2C纳米压印光刻机的14纳米能力，据称该机可生产5纳米工艺芯片。尽管这未能使PL-SR系列与用于先进逻辑芯片制造的设备处于同一类别，但这代表了中国研制的半导体工具在性能上的一个显著里程碑。
纳米压印光刻技术避免了传统极紫外（EUV）系统所需的复杂EUV光源，从而降低了能源使用和设备成本。然而，该工艺速度较慢，不适合用于复杂逻辑芯片，使其非常适合NAND闪存和类似的具有较简单设计的存储设备。ICsmart指出，中国的存储制造商可以使用Prinano的技术，以减少对进口高端光刻系统的依赖，并提高与SK hynix和三星等成熟存储领导者的竞争力。
佳能的 FPA-1200NZ2C 纳米压印系统仍然受到出口到中国的限制，限制了对外国供应工具的访问。普莱纳诺的 PL-SR 系列具有高精度喷墨涂层和从 20 mm × 20 mm 到整个 300 mm 晶圆尺寸的均匀模板对准，提供了一个国内替代方案。其交付标志着打破外国供应商在某些半导体制造领域垄断的第一步，可能会重塑内存生产竞争格局。
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