Le fabricant chinois d'équipements pour semi-conducteurs Prinano a annoncé la livraison réussie de son premier système de lithographie par nanoimpression à jet d'encre pas-à-pas de la série PL-SR, qu'il a développé lui-même, à un client national spécialisé dans les processus. Selon Csmart, le système a passé l'inspection. Il peut accueillir des processus de nanoimpression avec des largeurs de ligne inférieures à 10 nm, dépassant ainsi la capacité de 14 nm de la machine de lithographie par nanoimpression FPA-1200NZ2C de Canon, qui est censée produire des puces de processus de 5 nm. Bien que cela ne place pas le PL-SR dans la même catégorie que les équipements pour la fabrication de puces logiques avancées, cela représente une étape importante en termes de performance pour les outils pour semi-conducteurs développés en Chine.

La lithographie par nano-impression évite les sources lumineuses EUV complexes requises par les systèmes EUV conventionnels, réduisant ainsi la consommation d'énergie et les coûts des équipements. Cependant, le processus est plus lent et ne convient pas aux puces logiques complexes, ce qui le rend idéal pour la mémoire NAND Flash et des dispositifs de mémoire similaires aux conceptions moins complexes. ICsmart note que les fabricants de mémoire chinois pourraient déployer la technologie de Prinano pour réduire la dépendance aux systèmes de lithographie haut de gamme importés et améliorer leur compétitivité face à des leaders établis de la mémoire tels que SK hynix et Samsung.

Le système de nano-impression FPA-1200NZ2C de Canon reste soumis à des restrictions d'exportation vers la Chine, limitant l'accès aux outils fournis par l'étranger. La série PL-SR de Prinano, qui offre un revêtement par jet d'encre de haute précision et un alignement avec jonction uniforme des modèles de 20 mm × 20 mm à l'échelle de la tranche complète de 300 mm, propose une alternative domestique. Sa livraison marque un pas vers la rupture du monopole des fournisseurs étrangers dans certains segments de fabrication de semi-conducteurs, ce qui pourrait potentiellement remodeler le paysage concurrentiel dans la production de mémoire.