Loading

Prinano представляет систему литографии наноимпринта PL-SR".

Китайский производитель полупроводникового оборудования Prinano объявил об успешной поставке своей первой самостоятельно разработанной системы PL-SR серии струйной шагово-повторной наноимпринтной литографии отечественному клиенту в области специализированных процессов. Согласно Csmart, система успешно прошла инспекцию. Она может поддерживать наноимпринтные процессы с шириной линий менее 10 нм, что превосходит возможность 14 нм машины наноимпринтной литографии Canon FPA-1200NZ2C, которая, как утверждается, производит чипы с процессом 5 нм. Хотя это не ставит PL-SR в ту же категорию, что и оборудование для производства продвинутых логических чипов, это представляет собой значительную веху в производительности китайских полупроводниковых инструментов.

Нанопечать методом литографии избегает сложных источников EUV-излучения, требуемых традиционными системами EUV, что уменьшает потребление энергии и стоимость оборудования. Однако процесс медленнее и не подходит для сложных логических микросхем, что делает его идеальным для NAND Flash и аналогичных устройств памяти с менее сложными конструкциями. ICsmart отмечает, что китайские производители памяти могут внедрить технологию Prinano, чтобы снизить зависимость от импортируемых высококачественных литографических систем и повысить конкурентоспособность по сравнению с такими признанными лидерами в области памяти, как SK hynix и Samsung.

Наноимпринтинг-система Canon’s FPA-1200NZ2C остается подверженной экспортным ограничениям в Китай, что ограничивает доступ к оборудованию, поставляемому из-за рубежа. Серия PL-SR от Prinano, которая обладает высокоточным струйным покрытием и выравниванием с равномерным соединением шаблонов от 20 мм × 20 мм до полного масштаба вафли 300 мм, предлагает отечественную альтернативу. Ее поставка сигнализирует о шаге в направлении разрыва монополии иностранных поставщиков в определенных сегментах производства полупроводников, что потенциально может изменить конкурентную среду в производстве памяти.

Add/View comments for this article →


Comments
user