El fabricante chino de equipos de semiconductores Prinano ha anunciado la entrega exitosa de su primer sistema de litografía por nanoimpresión de inyección de tinta paso y repetición de la serie PL-SR, desarrollado internamente, a un cliente doméstico de procesos especializados. Según Csmart, el sistema ha pasado la inspección. Puede acomodar procesos de nanoimpresión con anchuras de línea por debajo de 10 nm, superando la capacidad de 14 nm de la máquina de litografía por nanoimpresión FPA-1200NZ2C de Canon, que se afirma produce chips de proceso de 5 nm. Si bien esto no coloca al PL-SR en la misma categoría que los equipos para la fabricación de chips lógicos avanzados, representa un hito de rendimiento notable para las herramientas de semiconductores desarrolladas en China.

La litografía por nanoimpresión evita las complejas fuentes de luz EUV requeridas por los sistemas EUV convencionales, lo que reduce el uso de energía y los costos de equipo. Sin embargo, el proceso es más lento y no es adecuado para chips lógicos complejos, lo que lo hace ideal para NAND Flash y dispositivos de memoria similares con diseños menos intrincados. ICsmart señala que los fabricantes de memoria chinos podrían implementar la tecnología de Prinano para reducir la dependencia de los sistemas de litografía de gama alta importados y mejorar la competitividad frente a los líderes establecidos de memoria, como SK hynix y Samsung.

El sistema de nanoimpresión FPA-1200NZ2C de Canon sigue sujeto a restricciones de exportación a China, limitando el acceso a herramientas suministradas por el extranjero. La serie PL-SR de Prinano, que cuenta con recubrimiento de inyección de tinta de alta precisión y alineación con unión uniforme de plantillas desde 20 mm × 20 mm hasta la escala completa de obleas de 300 mm, ofrece una alternativa nacional. Su entrega señala un paso hacia romper el monopolio de proveedores extranjeros en ciertos segmentos de fabricación de semiconductores, potencialmente remodelando el panorama competitivo en la producción de memoria.