O fabricante chinês de equipamentos semicondutores, Prinano, anunciou a entrega bem-sucedida do seu primeiro sistema de litografia por nanoimpressão inkjet step-and-repeat da série PL-SR, desenvolvido internamente, para um cliente doméstico de processos especializados. De acordo com a Csmart, o sistema passou pela inspeção. Ele é capaz de acomodar processos de nanoimpressão com larguras de linha abaixo de 10 nm, superando a capacidade de 14 nm da máquina de litografia por nanoimpressão FPA-1200NZ2C da Canon, que é alegada produzir chips de processo de 5 nm. Embora isso não coloque o PL-SR na mesma categoria que o equipamento para fabricação de chips lógicos avançados, representa um marco de desempenho notável para as ferramentas de semicondutores desenvolvidas na China.

A litografia por nanoimpressão evita as complexas fontes de luz EUV exigidas pelos sistemas EUV convencionais, reduzindo o uso de energia e os custos dos equipamentos. No entanto, o processo é mais lento e não é adequado para chips lógicos complexos, tornando-o ideal para NAND Flash e dispositivos de memória semelhantes com designs menos intrincados. A ICsmart observa que os fabricantes chineses de memória poderiam implantar a tecnologia da Prinano para diminuir a dependência de sistemas de litografia de ponta importados e melhorar a competitividade contra líderes estabelecidos em memória, como SK hynix e Samsung.

O sistema de nanoimpressão FPA-1200NZ2C da Canon continua sujeito a restrições de exportação para a China, limitando o acesso a ferramentas fornecidas por estrangeiros. A série PL-SR da Prinano, que apresenta revestimento de jato de tinta de alta precisão e alinhamento com junção uniforme de templates de 20 mm × 20 mm a plena escala de wafer de 300 mm, oferece uma alternativa doméstica. Sua entrega sinaliza um passo em direção a quebrar o monopólio de fornecedores estrangeiros em certos segmentos de fabricação de semicondutores, potencialmente remodelando o cenário competitivo na produção de memória.